紫外光刻儀是一種用于材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，用于將涂有光刻膠的晶片與掩膜的對(duì)準(zhǔn)，然后曝光，將掩膜的圖形轉(zhuǎn)移到晶片的光刻膠上，用于納米器件的微加工。

　　紫外光刻主要功能：

　　采用紫外光源，實(shí)現(xiàn)光刻膠的曝光，將光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在光刻膠上制作出亞微米（＞0.8um）圖形結(jié)構(gòu)。紫外光刻系統(tǒng)是目前實(shí)驗(yàn)室光刻技術(shù)中最為常用和重要的光刻設(shè)備。

　　紫外(UV)光刻和直接書寫的方法，其中曝光模式和劑量都是由互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)控制的微像素化發(fā)光二極管陣列決定的。來自演示器8x8氮化鎵微像素LED的370nm紫外光使用兩個(gè)背對(duì)背顯微鏡物鏡投射到光刻膠覆蓋的基底上，允許控制去除。在目前的設(shè)置中，該系統(tǒng)能夠在直徑為~8?m的圓形點(diǎn)中為每個(gè)成像像素提供高達(dá)8.8W/cm2。我們展示了用正光刻膠和負(fù)光刻膠書寫的示例結(jié)構(gòu)。

　　光刻技術(shù)是微圖案化的方法， 按照最近報(bào)道的方法設(shè)計(jì)了CMOS控制裝置，使交替像素可操作，從而得到了一個(gè)發(fā)光的8x8陣列[圖]1(a)]。這是由于凹凸鍵合過程，目前限制了像素到像素間距為~200?m。

　　紫外光刻機(jī)的主要核心部件主要分為兩個(gè)部分：分別是對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和紫外光源。

　　目前對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)主要有兩大難題，精密的機(jī)械工藝和對(duì)準(zhǔn)顯微鏡系統(tǒng)。精密的機(jī)械工藝目前只有美國(guó)，而對(duì)準(zhǔn)顯微鏡系統(tǒng)其實(shí)就是鏡片，在這方面我國(guó)一直處于落后的狀態(tài)。

　　關(guān)于紫外光源，光刻機(jī)對(duì)光源的要求十分高，一是要有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)，二是光要有足夠的能量，三是光能量且必須要均勻的分布在曝光區(qū)。